ИНСТИТУТ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
БЕЛОРУССКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
ru be en kk uz vi
Поиск Карта сайта

Микро- и наноэлектроника

Курсы проводятся под руководством заведующего кафедрой микро и наноэлекторники БГУИР
Борисенко Виктора Евгеньевича, доктора физико-математических наук, профессора, научного руководителя Центра наноэлектроники и новых материалов (Центр 4.11 НИЧ БГУИР), сопредседателя Международной конференции по физике, химии и применению наноструктур Nanomeeting (www.nanomeeting.org, проводится один раз в два года в Минске с 1995 г.), Привилегированного Физика Института Физики (Великобритания).
Подготовил 25 кандидатов и 5 докторов наук

За дополнительной информацией обращаться:

Ведущий специалист Ордынская Марина Юрьевна, ауд. 607-7., тел. +375 17 397-82-95, +375 29 639-65-63,

e-mail: ordinskaya@bsuir.by

Заместитель декана Гарбуз Виталий Борисович, ауд. 402-8., тел. +375 29 686-61-14, e-mail: garbuz@bsuir.by

По направлению «Автоматизация производственных процессов на оборудовании SIEMENS AG» обращаться к Лыч Анне Игоревне, специалисту ООО «ИНОСАТ-АВТОМАТИЗАЦИЯ», +375(44)5776288, al@i-a.by

Запись осуществляется через электронную форму. Обучение начинаются по мере формирования групп, и проводятся на платной основе. Время проведения для слушателей по направлению организаций с 9.00 до 16.00, кроме субботы и воскресенья, для физических лиц - по согласованию.

Тематика по выбору:

1. Компьютерное проектирование и моделирование интегральных микросхем (Computer Aid Design and Modeling of Integrated Circuits).

2. Техника и методология анализа свойств микро- и нанообъектов (Analytical Techniques for Micro- and Nanoobjects).

3. Моделирование атомарного строения, фундаментальных электронных и оптических свойств наноструктур (Simulation of Atomic Arrangements, Fundamental Electronic and Optical Properties of Nanostructures).

4. Теоретические основы наноэлектроники (Fundamentals of Nanoelectronics).

5. Теоретические основы спинтроники (Fundamentals of Spintronics).

6. Золь-гель технологии формирования наноструктурированных материалов и тонких пленок (Sol-Gel Technology for Fabrication of Nanostructured Materials and Thin Films).

7. Формирование и свойства наноструктурированных фотокаталитических материалов для очистки воды (Fabrication and Properties of Nanostructured Photocatalytic Materials for Water Purification).

8. Плазменные методы формирования покрытий (Plasma Technologies for Material Deposition).

9. Методы и устройства визуализации информации (Techniques for Visualization of Information).

Возможна организация стажировок на кафедре.

  • Продолжительность: 64 часов
  • Количество заявок: 1
Цель курса - формирование у слушателей знаний о фундаментальных физических закономерностях явлений в наноразмерных твердотельных структурах, преимущественно на полупроводниковых материалах, о технологических методах создания наноразмерных структур (о нанотехнологии), об их электронных, магнитных, оптических свойствах и о возможностях их применения в интегрированных системах обработки информации.
В результате освоения курса слушатель должен:
·         знать, что такое низкоразмерные и наноразмерные структуры, какими технологическими методами они формируются, каковы их основные электронныеи оптические свойства,  какие электронные и оптоэлектронные приборы могут быть созданы на их основе;
·         уметь характеризовать эффекты, определяющие электронные и оптические свойства наноразмерных структур и приборов на их основе, анализировать преимущества и ограничения приборов наноэлектроники в сравнении с другими электронными и оптоэлектронными приборами;
·         приобрести навыки выбора технологических средств для создания приборов наноэлектроники, компьютерного моделирования параметров наноэлектронных приборов.
Программа курса
Физические основы наноэлектроники
Фундаментальные явления в низкоразмерных структурах. Квантовое ограничение. Баллистический транспорт. Туннелирование. Спиновыеэффекты.
Элементы низкоразмерных структур. Свободная поверхность и межфазные границы. Сверхрешетки. Моделирование атомных конфигураций.
Структуры с квантовым ограничением внутренним электрическим полем. Квантовые колодцы. Модуляционно-легированные структуры. Дельта-легированныеструктуры.
Структуры с квантовым ограничением внешним электрическим полем. Структуры металл/диэлектрик/полупроводник. Структуры с расщепленным затвором. Моделирование эффекта квантового ограничения.
Моделирование баллистического транспорта. Моделирование туннелирования электронов. Конструирование периодических сверхрешеток.
Нанотехнологии
Традиционные методы осаждения пленок. Химическое осаждение из газовой фазы. Молекулярно-лучевая эпитаксия.
Методы, использующие сканирующие зонды. Физические основы. Атомная инженерия. Локальное окисление металлов иполупроводников. Локальное химическое осаждение из газовой фазы.
Нанолитография. Электронно-лучевая литография. Профилирование резистов сканируемыми зондами. Нанопечать. Сравнение нанолитографических методов.
Саморегулирующиеся процессы. Самосборка. Самоорганизация в объемных материалах. Самоорганизация при эпитаксии.
Выбор реагентов и режимов химического осаждения из газовой фазы. Выбор реагентов и режимов молекулярно-лучевой эпитаксии. Зондовые технологии.
Наноструктурированные материалы электронной техники
Пористый кремний. Формирование. Свойства. Применение в электронике.
Пористый анодный оксид алюминия. Формирование. Свойства. Применение в электронике.
Фуллерены и углеродные нанотрубки. Формирование. Свойства. Применение в электронике.
Формирование и исследование пористого кремния. Формирование и исследование пористого анодного оксида алюминия.
Электронные свойства наноразмерных структур, нано- и оптоэлектронные приборы на их основе
Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров. Интерференция электронных волн. Вольт-амперные характеристикинизкоразмерных структур. Квантовый эффект Холла. Электронные приборы наинтерференционных эффектах.
Транспорт носителей заряда через потенциальные барьеры. Одноэлектронное туннелирование и электронные приборы на этом эффекте. Резонансное туннелирование и электронные приборы на этом эффекте.
Спинтроника. Гигантское магнитосопротивление. Спин-контролируемое туннелирование. Управление спинами электронов в полупроводниках. Эффект Кондо. Электронные приборы на спиновых эффектах.
Оптические свойства низкоразмерных структур и приборы на их основе Особенности оптических свойств низкоразмерных структур. Лазеры и светоизлучающие диоды. Детекторы излучений.

Конструирование электронных приборов на интерференционных эффектах. Конструирование электронных приборов на одноэлектронном туннелировании. Конструирование спинтронных приборов. Конструирование оптоэлектронных приборов.